IRF7380TRPBF vs IRF7854TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7380TRPBF par Infineon et IRF7854TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7380TRPBF | IRF7854TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,32 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7380TRPBF | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.6 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 73 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Technology | IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) | HEXFET (planar N-channel) |
| Total Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Boîtier | SO-8 (8-SO, SOIC-8) | SO-8 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free plating, suffix PBF) | Yes (PBF suffix, lead-free) |
| Packaging | Tape & Reel (suffix TR) | — |
| Primary Application | High-frequency DC-DC converters | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 13.4 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | — | 4.9 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| Qualification | — | JEDEC industrial, Normal level |
| Solder Process | — | Reflow and wave-solderable |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |