IRF7380TRPBF vs IRF7854TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7380TRPBF メーカー: Infineon および IRF7854TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF - Dual N-Ch 80V 3.6A MOSFET, SO-8 | Infineon

IRF7380TRPBF - Dual N-Ch 80V 3.6A MOSFET, SO-8 | Infineon

IRF7380TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7380TRPBF IRF7854TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7380TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.6 A —
On-Resistance RDS(on) max 73 mOhm at VGS = 10 V —
Technology IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) HEXFET (planar N-channel)
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
パッケージ SO-8 (8-SO, SOIC-8) SO-8
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55 C to +150 C —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free plating, suffix PBF) Yes (PBF suffix, lead-free)
Packaging Tape & Reel (suffix TR) —
Primary Application High-frequency DC-DC converters —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
動作温度範囲 — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

データシート&リソース

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