IRF7389TRPBF vs IRF7389PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7389TRPBF por Infineon y IRF7389PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7389TRPBF IRF7389PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,61
Transistor Polarity N and P Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) 7.3 A —
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) -5.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max 29 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
Configuration Dual N+P Complementary Half-Bridge N and P-Channel (complementary half-bridge)
Technology HEXFET Generation V (IR MOSFET) Generation V HEXFET
Encapsulado 8-SO (SOIC-8) SO-8 (SOIC-8) surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead Free / RoHS Lead Free / RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) — 30 V
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) — -30 V
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) — 7.3 A
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) — -5.3 A
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max — 0.029 ohm at V_GS=10V
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max — 0.058 ohm at V_GS=10V
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical — 22 nC
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical — 23 nC
Power Dissipation (P_D) — 2.5 W
Pinout — Industry-standard complementary SO-8
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes

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