IRF7389TRPBF vs IRF7389PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7389TRPBF par Infineon et IRF7389PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7389TRPBF IRF7389PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,61
Transistor Polarity N and P Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) 7.3 A —
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) -5.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max 29 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
Configuration Dual N+P Complementary Half-Bridge N and P-Channel (complementary half-bridge)
Technology HEXFET Generation V (IR MOSFET) Generation V HEXFET
Boîtier 8-SO (SOIC-8) SO-8 (SOIC-8) surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C —
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead Free / RoHS Lead Free / RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) — 30 V
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) — -30 V
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) — 7.3 A
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) — -5.3 A
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max — 0.029 ohm at V_GS=10V
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max — 0.058 ohm at V_GS=10V
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical — 22 nC
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical — 23 nC
Power Dissipation (P_D) — 2.5 W
Pinout — Industry-standard complementary SO-8
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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