IRF7854TRPBF vs IRF7380TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7854TRPBF por Infineon y IRF7380TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7854TRPBF IRF7380TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,32
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Encapsulado SO-8 SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7380TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.6 A
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

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