IRF7854TRPBF vs IRF7380TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7854TRPBF por Infineon e IRF7380TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7854TRPBF IRF7380TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,32
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Encapsulamento SO-8 SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7380TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.6 A
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

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