IRF7854TRPBF vs IRF7380TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7854TRPBF par Infineon et IRF7380TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7854TRPBF IRF7380TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,32
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Boîtier SO-8 SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7380TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.6 A
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis