IRF7854TRPBF vs IRF7380TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF7854TRPBF от Infineon и IRF7380TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF7854TRPBF | IRF7380TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,48 | $0,32 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| Корпус | SO-8 | SO-8 (8-SO, SOIC-8) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | Yes (Pb-free plating, suffix PBF) |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | — |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7380TRPBF |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.6 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 73 mOhm at VGS = 10 V |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +150 C |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix TR) |
| Primary Application | — | High-frequency DC-DC converters |