IRF7907TRPBF vs IRF9952TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7907TRPBF por Infineon y IRF9952TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7907TRPBF IRF9952TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,43 $0,32
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 9.1 A per channel at 25 C —
Pulsed Drain Current (IDM) Max 11 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 11.8 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V (typ) —
Total Power Dissipation (PD) Max 2 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
Encapsulado 8-SOIC (SO-8) 8-pin SOIC (SO-8), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix)
Channel Polarity N-Channel (both) —
Polarity / Configuration — Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 30 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — -30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
N-Channel R_DS(on) max — 0.10 ohm (at VGS = 10 V)
P-Channel R_DS(on) max — 0.25 ohm (at VGS = -10 V)
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
Tape and Reel Packaging — Yes (TRPBF suffix)
Qualification — Consumer market

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