IRF7907TRPBF vs IRF9952TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7907TRPBF メーカー: Infineon および IRF9952TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF - Dual N+P 30V MOSFET Array, SO-8 | Infineon

IRF9952TRPBF - Dual N+P 30V MOSFET Array, SO-8 | Infineon

IRF9952TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7907TRPBF IRF9952TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.43 $0.32
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 9.1 A per channel at 25 C —
Pulsed Drain Current (IDM) Max 11 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 11.8 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V (typ) —
Total Power Dissipation (PD) Max 2 W —
動作温度範囲 -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
パッケージ 8-SOIC (SO-8) 8-pin SOIC (SO-8), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix)
Channel Polarity N-Channel (both) —
Polarity / Configuration — Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 30 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — -30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
N-Channel R_DS(on) max — 0.10 ohm (at VGS = 10 V)
P-Channel R_DS(on) max — 0.25 ohm (at VGS = -10 V)
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
Tape and Reel Packaging — Yes (TRPBF suffix)
Qualification — Consumer market

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