IRF7907TRPBF vs IRF9952TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRF7907TRPBF 제조: Infineon 및 IRF9952TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRF7907TRPBF IRF9952TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.43 $0.32
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 9.1 A per channel at 25 C —
Pulsed Drain Current (IDM) Max 11 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 11.8 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V (typ) —
Total Power Dissipation (PD) Max 2 W —
동작 온도 범위 -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
패키지 8-SOIC (SO-8) 8-pin SOIC (SO-8), surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS 상태 Compliant Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix)
Channel Polarity N-Channel (both) —
Polarity / Configuration — Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 30 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — -30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
N-Channel R_DS(on) max — 0.10 ohm (at VGS = 10 V)
P-Channel R_DS(on) max — 0.25 ohm (at VGS = -10 V)
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
Tape and Reel Packaging — Yes (TRPBF suffix)
Qualification — Consumer market

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