IRF7907TRPBF vs IRF9952TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7907TRPBF por Infineon e IRF9952TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7907TRPBF IRF9952TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,43 $0,32
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 9.1 A per channel at 25 C —
Pulsed Drain Current (IDM) Max 11 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 11.8 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V (typ) —
Total Power Dissipation (PD) Max 2 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento 8-SOIC (SO-8) 8-pin SOIC (SO-8), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix)
Channel Polarity N-Channel (both) —
Polarity / Configuration — Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 30 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — -30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
N-Channel R_DS(on) max — 0.10 ohm (at VGS = 10 V)
P-Channel R_DS(on) max — 0.25 ohm (at VGS = -10 V)
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
Tape and Reel Packaging — Yes (TRPBF suffix)
Qualification — Consumer market

Fichas técnicas e recursos

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