IRFB4310PBF vs IRF1310NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB4310PBF por Infineon y IRF1310NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB4310PBF IRF1310NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,95 $0,84
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm 36 mOhm
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) 170 nC 73.3 nC
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Encapsulado TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB)
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

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