IRFB4310PBF vs IRF1310NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4310PBF por Infineon e IRF1310NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4310PBF IRF1310NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $0,84
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm 36 mOhm
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) 170 nC 73.3 nC
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

Fichas técnicas e recursos

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