IRFB4310PBF vs IRF1310NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4310PBF par Infineon et IRF1310NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4310PBF IRF1310NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $0,84
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm 36 mOhm
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) 170 nC 73.3 nC
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Boîtier TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB)
Type de montage Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis