IRFP2907PBF vs IPW60R041C6FKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFP2907PBF por Infineon y IPW60R041C6FKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFP2907PBF IPW60R041C6FKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,45 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP2907PBF —
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C
Encapsulado — PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Tipo de montaje — Through Hole
Nivel MSL — Not Applicable (Through-hole)
Estado RoHS — Compliant

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