IRFP2907PBF vs IPW60R041C6FKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFP2907PBF por Infineon e IPW60R041C6FKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFP2907PBF IPW60R041C6FKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo NRND
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,45 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP2907PBF —
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C
Encapsulamento — PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Tipo de montagem — Through Hole
Nível MSL — Not Applicable (Through-hole)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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