IRFP2907PBF vs IPW60R041C6FKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFP2907PBF par Infineon et IPW60R041C6FKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFP2907PBF IPW60R041C6FKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,45 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP2907PBF —
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Boîtier — PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Type de montage — Through Hole
Niveau MSL — Not Applicable (Through-hole)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis