IRFP2907PBF vs IPW60R041C6FKSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFP2907PBF от Infineon и IPW60R041C6FKSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFP2907PBF IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFP2907PBF IPW60R041C6FKSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен NRND
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,45 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP2907PBF —
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
Диапазон рабочих температур — -55°C to +150°C
Корпус — PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Тип монтажа — Through Hole
Уровень MSL — Not Applicable (Through-hole)
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену