IRFR3411TRPBF vs IRLR3110ZTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR3411TRPBF por Infineon y IRLR3110ZTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR3411TRPBF IRLR3110ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $0,66
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm 14 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET / Trench MOSFET
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Nivel MSL — 1 (Unlimited)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free Plating — Yes (PBF suffix)
Sin halógenos — Yes

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