IRFR3411TRPBF vs IRLR3110ZTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3411TRPBF por Infineon e IRLR3110ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3411TRPBF IRLR3110ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,66
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm 14 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET / Trench MOSFET
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Nível MSL — 1 (Unlimited)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free Plating — Yes (PBF suffix)
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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