IRFR3411TRPBF vs IRLR3110ZTRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFR3411TRPBF от Infineon и IRLR3110ZTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFR3411TRPBF | IRLR3110ZTRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,55 | $0,66 |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 100 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 44 mOhm | 14 mOhm |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Charge (Qg) | 48 nC | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C | — |
| Корпус | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Количество выводов | 3 | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR) | HEXFET / Trench MOSFET |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt rated | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-free, PBF suffix) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 140 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +175C |
| Уровень MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free Plating | — | Yes (PBF suffix) |
| Без галогенов | — | Yes |