IRFR5305TRLPBF vs IRFR5410TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR5305TRLPBF por Infineon y IRFR5410TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR5305TRLPBF IRFR5410TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,71
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (advanced process, Gen 5)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

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