IRFR5305TRLPBF vs IRFR5410TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5305TRLPBF par Infineon et IRFR5410TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5305TRLPBF IRFR5410TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,71
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (advanced process, Gen 5)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

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