IRFR5305TRLPBF vs IRFR5410TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR5305TRLPBF メーカー: Infineon および IRFR5410TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFR5305TRLPBF IRFR5410TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $0.71
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (advanced process, Gen 5)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
動作温度範囲 — -55 °C to +150 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

データシート&リソース

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