IRFR5410TRPBF vs IRLTS2242TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR5410TRPBF por Infineon y IRLTS2242TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR5410TRPBF IRLTS2242TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $0,14
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount TSOP-6 (Micro 6)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (TJ) -55C to +150C (junction)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) IR MOSFET (HEXFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -6.9 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.0 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 32 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Drive Voltage (logic level) — 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable
Package Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB]
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes

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