IRFR5410TRPBF vs IRLTS2242TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5410TRPBF par Infineon et IRLTS2242TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5410TRPBF IRLTS2242TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $0,14
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TSOP-6 (Micro 6)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (TJ) -55C to +150C (junction)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) IR MOSFET (HEXFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -6.9 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.0 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 32 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Drive Voltage (logic level) — 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable
Package Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB]
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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