IRFR5410TRPBF vs IRLTS2242TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR5410TRPBF от Infineon и IRLTS2242TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF - 20V P-Ch HEXFET MOSFET, TSOP-6 | Infineon

IRLTS2242TRPBF - 20V P-Ch HEXFET MOSFET, TSOP-6 | Infineon

IRLTS2242TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR5410TRPBF IRLTS2242TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,71 $0,14
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Корпус TO-252AA (DPAK), surface mount TSOP-6 (Micro 6)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +150 °C (TJ) -55C to +150C (junction)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) IR MOSFET (HEXFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -6.9 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.0 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 32 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Drive Voltage (logic level) — 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable
Package Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB]
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену