IRFS7430TRL7PP vs IRF1018EPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFS7430TRL7PP por Infineon y IRF1018EPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFS7430TRL7PP IRF1018EPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,15 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family StrongIRFET —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 240 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: IDM pulse spec] —
R_DS(on) max (V_GS=10V) 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) 305 nC —
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) 375 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +175°C —
Encapsulado D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL MSL1 (per PartGenie) —
Technology — HEXFET (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 79 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 8.4 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Gate Drive Voltage (Vgs) — 10 V (optimized; +/-20 V max)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 110 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (Tj)
Qualification — JEDEC (Industrial market)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)

Hojas de datos y recursos

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