IRFS7430TRL7PP vs IRF1018EPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFS7430TRL7PP par Infineon et IRF1018EPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFS7430TRL7PP IRF1018EPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,15 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family StrongIRFET —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 240 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: IDM pulse spec] —
R_DS(on) max (V_GS=10V) 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) 305 nC —
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) 375 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL MSL1 (per PartGenie) —
Technology — HEXFET (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 79 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 8.4 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Gate Drive Voltage (Vgs) — 10 V (optimized; +/-20 V max)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 110 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C (Tj)
Qualification — JEDEC (Industrial market)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)

Fiches techniques et ressources

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