IRFS7430TRL7PP vs IRF1018EPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFS7430TRL7PP por Infineon e IRF1018EPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFS7430TRL7PP IRF1018EPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,15 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family StrongIRFET —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 240 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: IDM pulse spec] —
R_DS(on) max (V_GS=10V) 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Q_g) 305 nC —
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) 375 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL MSL1 (per PartGenie) —
Technology — HEXFET (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 79 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 8.4 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Gate Drive Voltage (Vgs) — 10 V (optimized; +/-20 V max)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 110 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (Tj)
Qualification — JEDEC (Industrial market)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

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