IRFZ44NPBF vs IRF530NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFZ44NPBF por Infineon y IRF530NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFZ44NPBF IRF530NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,38
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +175 C
Encapsulado TO-220AB (3-pin + tab) —
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) —
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Part Number — IRF530NPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Tipo de transistor — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Encapsulado / Carcasa — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
Nivel MSL — N/A (through-hole)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

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