IRFZ44NPBF vs IRF530NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ44NPBF par Infineon et IRF530NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ44NPBF IRF530NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,38
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55 C to +175 C
Boîtier TO-220AB (3-pin + tab) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) —
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Part Number — IRF530NPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Type de transistor — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Boîtier / Format — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
Niveau MSL — N/A (through-hole)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Fiches techniques et ressources

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