IRFZ44NPBF vs IRF530NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ44NPBF por Infineon e IRF530NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ44NPBF IRF530NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,38
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C -55 C to +175 C
Encapsulamento TO-220AB (3-pin + tab) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) —
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Part Number — IRF530NPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Tipo de transistor — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Encapsulamento / Caixa — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
Nível MSL — N/A (through-hole)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação