IRLL024ZTRPBF vs BSP125H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLL024ZTRPBF por Infineon y BSP125H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLL024ZTRPBF BSP125H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Technology HEXFET Power MOSFET (trench-gate) SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 55 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 60 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 1 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55 °C to +150 °C —
Encapsulado SOT-223 (TO-261-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited floor life) 1 (Unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
Part Number — BSP125H6327XTSA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (TJ)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
Qualification — Automotive / Industrial grade

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