IRLL024ZTRPBF vs BSP125H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLL024ZTRPBF par Infineon et BSP125H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLL024ZTRPBF BSP125H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Technology HEXFET Power MOSFET (trench-gate) SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 55 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 60 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 1 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55 °C to +150 °C —
Boîtier SOT-223 (TO-261-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited floor life) 1 (Unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Part Number — BSP125H6327XTSA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
Qualification — Automotive / Industrial grade

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis