IRLL024ZTRPBF vs IRLR024NTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLL024ZTRPBF por Infineon y IRLR024NTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLL024ZTRPBF IRLR024NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology HEXFET Power MOSFET (trench-gate) HEXFET (Advanced Process Technology)
FET Type N-Channel enhancement-mode N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-Source Voltage (VDS) max 55 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 60 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) —
Total Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 1 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55 °C to +150 °C —
Encapsulado SOT-223 (TO-261-4) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited floor life) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 10 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

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