IRLL024ZTRPBF vs IRLR024NTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLL024ZTRPBF por Infineon e IRLR024NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLL024ZTRPBF IRLR024NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology HEXFET Power MOSFET (trench-gate) HEXFET (Advanced Process Technology)
FET Type N-Channel enhancement-mode N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-Source Voltage (VDS) max 55 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 60 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) —
Total Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 1 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento SOT-223 (TO-261-4) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited floor life) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 10 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

Fichas técnicas e recursos

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