IRLL024ZTRPBF vs IRLR024NTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLL024ZTRPBF par Infineon et IRLR024NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLL024ZTRPBF IRLR024NTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology HEXFET Power MOSFET (trench-gate) HEXFET (Advanced Process Technology)
FET Type N-Channel enhancement-mode N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-Source Voltage (VDS) max 55 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 60 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) —
Total Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 1 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55 °C to +150 °C —
Boîtier SOT-223 (TO-261-4) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited floor life) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 10 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

Fiches techniques et ressources

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