IRLML0040TRPBF vs IRF8736TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLML0040TRPBF por Infineon y IRF8736TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLML0040TRPBF IRF8736TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,16 $0,27
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 3.6 A 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) 14 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 56 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 2.6 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Technology IR MOSFET / HEXFET StrongIRFET / HEXFET
Encapsulado Micro3 (SOT-23) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification Level Consumer (per JEDEC JSD47F) —
Moisture Sensitivity Level MSL1 (per IPC/JEDEC J-STD-020D) —
RoHS Compliance Compliant (no lead, no bromide, no halogen) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

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