IRLML0040TRPBF vs IRF8736TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML0040TRPBF por Infineon e IRF8736TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML0040TRPBF IRF8736TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,16 $0,27
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 3.6 A 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) 14 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 56 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 2.6 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Technology IR MOSFET / HEXFET StrongIRFET / HEXFET
Encapsulamento Micro3 (SOT-23) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification Level Consumer (per JEDEC JSD47F) —
Moisture Sensitivity Level MSL1 (per IPC/JEDEC J-STD-020D) —
RoHS Compliance Compliant (no lead, no bromide, no halogen) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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