IRLML0040TRPBF vs IRF8736TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLML0040TRPBF par Infineon et IRF8736TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLML0040TRPBF IRF8736TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,16 $0,27
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 3.6 A 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) 14 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 56 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 2.6 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Technology IR MOSFET / HEXFET StrongIRFET / HEXFET
Boîtier Micro3 (SOT-23) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification Level Consumer (per JEDEC JSD47F) —
Moisture Sensitivity Level MSL1 (per IPC/JEDEC J-STD-020D) —
RoHS Compliance Compliant (no lead, no bromide, no halogen) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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