IRLR024NTRLPBF vs IRLR024NTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR024NTRLPBF por Infineon y IRLR024NTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,46
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 65 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive from 3.3V/5V logic) —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 10 nC (typical)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 3.3 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 50 °C/W (PCB mount) —
Avalanche Rating Fully avalanche rated —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (junction) -55 C to +175 C
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology HEXFET (cellular N-channel MOSFET) HEXFET (Advanced Process Technology)
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

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