IRLR024NTRLPBF vs IRLR024NTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRLR024NTRLPBF メーカー: Infineon および IRLR024NTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF - 55V 17A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRLR024NTRLPBF - 55V 17A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRLR024NTRLPBF ✓ 生産中
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $0.46
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 65 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive from 3.3V/5V logic) —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 10 nC (typical)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 3.3 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 50 °C/W (PCB mount) —
Avalanche Rating Fully avalanche rated —
パッケージ TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (junction) -55 C to +175 C
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
MSLレベル 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology HEXFET (cellular N-channel MOSFET) HEXFET (Advanced Process Technology)
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

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