IRLR024NTRLPBF vs IRLR024NTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR024NTRLPBF por Infineon e IRLR024NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,46
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 65 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive from 3.3V/5V logic) —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 10 nC (typical)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 3.3 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 50 °C/W (PCB mount) —
Avalanche Rating Fully avalanche rated —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (junction) -55 C to +175 C
Status RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology HEXFET (cellular N-channel MOSFET) HEXFET (Advanced Process Technology)
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

Fichas técnicas e recursos

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