IRLR024NTRLPBF vs IRLR024NTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR024NTRLPBF par Infineon et IRLR024NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,46
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 65 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive from 3.3V/5V logic) —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 10 nC (typical)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 3.3 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 50 °C/W (PCB mount) —
Avalanche Rating Fully avalanche rated —
Boîtier TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (junction) -55 C to +175 C
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology HEXFET (cellular N-channel MOSFET) HEXFET (Advanced Process Technology)
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

Fiches techniques et ressources

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