IRLR024NTRPBF vs IRLR024NTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR024NTRPBF por Infineon y IRLR024NTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR024NTRPBF IRLR024NTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,38
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 65 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 10 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 45 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (junction)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process Technology) HEXFET (cellular N-channel MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Gate Drive Level Logic-Level —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (drive from 3.3V/5V logic)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 3.3 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 50 °C/W (PCB mount)
Avalanche Rating — Fully avalanche rated
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes

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