IRLR024NTRPBF vs IRLR024NTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR024NTRPBF por Infineon e IRLR024NTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR024NTRPBF IRLR024NTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,38
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 65 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 10 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 45 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (junction)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process Technology) HEXFET (cellular N-channel MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Gate Drive Level Logic-Level —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (drive from 3.3V/5V logic)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 3.3 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 50 °C/W (PCB mount)
Avalanche Rating — Fully avalanche rated
Status RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes

Fichas técnicas e recursos

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