IRLR024NTRPBF vs IRLR024NTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR024NTRPBF par Infineon et IRLR024NTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR024NTRPBF IRLR024NTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,38
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 65 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 10 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 45 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (junction)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process Technology) HEXFET (cellular N-channel MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Gate Drive Level Logic-Level —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (drive from 3.3V/5V logic)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 3.3 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 50 °C/W (PCB mount)
Avalanche Rating — Fully avalanche rated
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes

Fiches techniques et ressources

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