IRLR3110ZTRPBF vs IRFR3411TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3110ZTRPBF por Infineon y IRFR3411TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3110ZTRPBF IRFR3411TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,55
FET Type N-Channel MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10V 14 mOhm 44 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET / Trench MOSFET HEXFET Power MOSFET (IR)
Nivel MSL 1 (Unlimited) —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Plating Yes (PBF suffix) —
Sin halógenos Yes —
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Número de pines — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

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